Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. 1 Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch. Created with Sketch.
Сообщество Россия - священная наша держава

ЗАПИСЬ

Светлана M 27 февраля 2018, 18:01 , Тула ···

АО «Ангстрем» завершил ОКР по созданию силовых транзисторов

  • «Ангстрем» выполнил самый масштабный ОКР в современной России по созданию силовых транзисторов
  • «Ангстрем» выполнил самый масштабный ОКР в современной России по созданию силовых транзисторов
  • © zelao.ru

В ходе осуществления опытно-конструкторской работы «Сила-И8» специалисты АО «Ангстрем» разработали 95 типов силовых транзисторов средней и большой мощности. Эти изделия заменяют более 1000 иностранных аналогов. Работа выполнялась в рамках государственной программы импортозамещения. В декабре 2017 года заказчику были сданы все изделия, предусмотренные заданием. Транзисторы выполнены по трем технологиям: LOW CHARGE, TRENCH и LOW CHARGE Space. «Ангстрем» уже готов принимать заказы на серийное производство и отгрузку новых транзисторов.

На сегодня всего несколько стран в мире обладают компетенцией по выпуску микроэлектроники, способной функционировать в экстремальных условиях. В 2015 году в России объявили ряд конкурсов на выполнение опытно-конструкторских работ (ОКР) в рамках государственной программы «Развитие промышленности и повышение ее конкурентоспособности». Самым масштабным ОКРом стала работа «Сила-И8», которая предполагала создание 95 типов транзисторов широкого назначения. Специалистам «Ангстрема» предстояло разработать целую серию мощных быстродействующих n- и p-канальных МОП (метал-оксид-полупроводник) транзисторов в металлопластмассовых и герметичных металлокерамических корпусах, которые заменят импортные аналоги.

В декабре 2017 года заказчику были сданы все изделия, предусмотренные заданием:

- n-канальные транзисторы в металлопластмассовых корпусах закрывает ряд от 30 В до 1500 В;

- p-канальные транзисторы в металлопластмассовых корпусах от -30 В до -200 В;

- n-канальные транзисторы в металлокерамических корпусах от 30 В до 900 В;

- p-канальные транзисторы в металлокерамических корпусах от -30 В до -200 В.

Транзисторы выполнены по трем технологиям: LOW CHARGE, TRENCH и LOW CHARGE Space.

Область применения новых транзисторов настолько широка, что позволяет говорить о масштабной замене иностранной ЭКБ: системы автоматики, системы управления электронных приводов, драйверы, коммутаторы, источники питания. Одной из самых перспективных областей использования новых транзисторов являются системы управления автомобильного транспорта, в том числе электрического и роботизированного.

Директор центра микроэлектроники - главный конструктор АО «Ангстрем»: «Это была очень сложная работа. В короткий период времени нам предстояло разработать, выпустить тестовые образцы, а затем сдать почти сто изделий заказчику. Мы справились, что говорит о нашей возможности и дальше создавать и выпускать современные электронные комплектующие для отечественной промышленности. Мы уже сейчас готовы заменить импортную силовую электронику на железных дорогах, в ЖКХ и в автомобилестроении».

Одновременно с ОКРом «Сила-И8» в 2015 году «Ангстрем» выиграл право выполнить еще две работы: «Сила-14» (сдана в 2017 году) и «Сила-16» (сдача в 2018 году).

«Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2000 наименований.

https://sdelanounas.ru/blogs/104263/

1